tsmc的substrate的電阻率怎麼查

不知道從工藝的哪些文件中找到定義襯底（substrate）文件所需要的信息：介質厚度，相對介電常數，如用的工藝為T***C 0.18um CMOS RF工藝。

我的問題是，電阻等信息。但是我不知道如何定義孔。圖一中可以找到介質的相關信息（厚度和介電常數）和金屬的厚度信息，圖二中可以找到金屬的電阻信息和孔的電阻信息。 或者是從哪裡可以下載到T***C 0.18um的襯底文件。

我對這個問題進行了一些嘗試。在T***C工藝文件中的Assura文件夾下找到了如下所示的兩個文件。看起來似乎比較像

鐵（或者鋼）的電導率、磁導率、介電常數各是多少

電導率9.93*10的6次方（米歐姆），就是9930000米歐姆 鐵磁性材料的相對磁導率μr=μ/μ0如鑄鐵為200~400；硅鋼片為7000~10000；鎳鋅鐵氧體為10~1000；鎳鐵合金為2000；錳鋅鐵氧體為300~5000。

電介質經常是絕緣體。其例子包括瓷器（陶器），雲母，玻璃，塑料，和各種金屬氧化物。

有些液體和氣體可以作為好的電介質材料。干空氣是良好的電介質，並被用在可變電容器以及某些類型的傳輸線。

蒸餾水如果保持沒有雜質的話是好的電介質，其相對介電常數約為80。

有關介電常數~~

相對介電常數 εr （有時用κ或K表示）定義為如下比例： εr=εs/ε0 其中εs 是指介質的靜電介電常數， 而ε0 是指真空介電常數。

這里的自由空間介電常數是由電場強度E和導電通量密度D通過麥克斯韋方程式導出. 真空下的（自由空間）介電常數ε 為ε0， 所以介電常數為1（ε0是基本量綱）. 電介質經常是絕緣體。其例子包括瓷器（陶器），雲母，玻璃，塑料，和各種金屬氧化物。

有些液體和氣體可以作為好的電介質材料。干空氣是良好的電介質，並被用在可變電容器以及某些類型的傳輸線。

蒸餾水如果保持沒有雜質的話是好的電介質，其相對介電常數約為80。 電介質有使空間比起實際尺寸變得更大或更小的屬性。

例如，當一個電介質材料放在兩個電荷之間，它會減少作用在它們之間的力，就像它們被移遠了一樣。當電磁波穿過電介質，波的速度被減小，使得它的行為象它有更短的波長一樣。

電學角度看，介電常數是物質集中靜電通量線的程度的衡量。更精確一點講，它是在靜電場加在一個絕緣體上時存貯在其中的電能相對於真空（其介電常數為1）來說的比例。

這樣，介電常數也成為靜介電係數（permittivity， 也稱誘電率）。 相對介電常數εr可以用靜電場用如下方式測量：首先在其兩塊極板之間為空氣的時候測試電容器的電容C0。

然後，用同樣的電容極板間距離但在極板間加入電介質後側得電容Cx。然後相對介電常數可以用下式計算： εr=Cx/C0 對於時變電磁場，物質的介電常數和頻率相關，通常稱為介電係數。

至於具體怎麼從麥克斯韋方程導出介電常數，這里不好寫，復雜物質的介電常數也很復雜，有各向異性的介電常數，以及左手媒質等等，這些在電磁學裡面有研究，但是，這里一時半時和你解釋不清，你需要有良好的數學基礎，以及高等電磁場的基礎，其中對於矢量場的知識也是必須的，介紹一本書給你看，哈靈頓的《Time-Harmonic Electromagnetic Fields》，電磁學的經典著作。

求教有效介電常數

介電常數又叫介質常數，介電係數或電容率，它是表示絕緣能力特性的一個係數，以字母ε表示，單位為法/米

相對介電常數公式：C=（εS/4πkd）（平行電容計算）表示電容器的極板間充滿電介質時的電容與極板間為真空時的電容之比值稱為（相對）介電常數。

"相對介電常數" 在工具書中的解釋：

介電常數與真空介電常數之比，即εr=ε/ε0。 符號為εr；真空介電常數 ε0=1/4πk。

"有效介電常數" 在學術文獻中的解釋：

當其不均勻線度遠小於入射光波長時，可視其為均勻的各向同性介質，其介電常數可用某一有效值εe來表徵，稱為有效介電常數.由於各種非均勻系統的結構千差萬別，目前，其有效介電常數的計算方法也各不相同.

比如說微帶線，因為金屬面上下所看到的介質的介電介電常數不同，所以有不同的波速，若等效成一均勻的介質來看，要引入有效介電常數的概念，它和基板的介電常數、微帶線長度、寬度等有關。

你提出的真空中的有效介電常數，是ε0=1/4πk的意思。